企业信息

    广州市番禺区桥南茂美工艺品加工厂

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  • 公司认证: 营业执照已认证
  • 企业性质:私营企业
    成立时间:
  • 公司地址: 广东省 广州市 番禺区 广州番禺区桥南街陈涌工业区福愉西路890号501厂房
  • 姓名: 陈士亮
  • 认证: 手机未认证 身份证未认证 微信未绑定

    供应分类

    蚀刻面板加工电话-越秀区蚀刻面板加工-茂美加工厂欢迎您咨询

  • 所属行业:丝印特印 丝印印刷加工 标牌条幅
  • 发布日期:2020-04-01
  • 阅读量:8
  • 价格:面议
  • 产品规格:不限
  • 产品数量:不限
  • 包装说明:按订单
  • 发货地址:广东广州番禺区  
  • 关键词:蚀刻面板加工电话,蚀刻面板加工工厂,蚀刻机械控制面板加工,蚀刻控制面板加工,蚀刻面板加工厂

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    广州市茂美标牌加工厂,座落于番禺区桥南街陈涌工业区,专注于腐蚀面板加工,腐蚀面板定制,机械控制面板定做,不锈钢蚀刻面板加工,机械面板腐蚀定制,设备蚀刻面板加工,腐蚀机械面板定制,机箱设备面板定制、电子秤按键面板定做等,接单领域主要集中在广州、深圳 、佛山 、东莞、中山、珠海、江门、肇庆、惠州等地,越秀区蚀刻面板加工,均可加工定制生产。产品还有腐蚀标牌,不锈钢直尺加工、铝铭牌制作、不锈钢铭牌制作、机械设备控制面板、亚克力标牌等。制作工艺:UV印刷、喷漆、丝印、热转印、凹凸,冲压、磨光、拉丝、电镀、氧化、喷砂、激光、注塑、磨光、电铸、腐蚀等一体化的大型专业标牌加工制作厂。

    广州市茂美标牌加工厂——广州腐蚀面板加工,广州腐蚀面板定制,广州机械控制面板定做,机箱设备面板定制等。

    本实用新型涉及干法刻蚀技术,特别涉及一种干法刻蚀设备。

    技术背景 图I为现有干法刻蚀设备的结构示意图,如图I所示,干法刻蚀设备包括反应腔(Chamber) 5,设置于反应腔(Chamber) 5上的垫板4、以及设置于反应腔(Chamber) 5中的挡光板I。现有的干法刻蚀设备在对玻璃(Glass)基板进行刻蚀的工艺中,由于设备的上部电极结构复杂以及设备老化等原因,经常会出现垫板4断裂以及其他零部件损坏而导致反应腔(Chamber) 5真空泄露(Leak)的现象,由此,大气会进入反应腔(Chamber) 5内部,蚀刻面板加工工厂,大气中的氮气等与反应腔(Chamber) 5内的气体混合,混合后气体颜色会由蓝色变成红色或黄色,出现颜色异常。现有结构无法对等离子体(Plasma)颜色进行监控,导致在后工序才能发现,这会严重影响良品率。

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    在集成电路制造工艺中,刻蚀是用化学或物理方法有选择地从硅表面去除不需要的材料,在硅片上复制所需图形的较后图形转移的工艺步骤。干法蚀刻和湿法蚀刻是半导体制造中两种基本的刻蚀工艺。干法蚀刻各向异性可以实现细微图形的转换,满足越来越小的尺寸要求,已成为亚微米及以下尺寸较主要的蚀刻方式。在实际生产中,公司追求产能和良率。就二氧化硅的干法蚀刻而言,需要优化诸如蚀刻速率、均匀性、选择比等蚀刻参数。因在蚀刻过程中,刻蚀的理想条件经常漂移,工艺工程师不仅需设定优化蚀刻效果的蚀刻菜单,还需在理想条件漂移时及时做出调整。本文选取了影响蚀刻效果的主要工艺参数,如射频、压力、蚀刻气体等做正交试验,确定其具体的影响程度,为参数设置和调节提供依据。


    广州市茂美标牌加工厂,座落于番禺区桥南街陈涌工业区,专注于腐蚀面板加工,腐蚀面板定制,不锈钢面板加工,面板加工,机械控制面板定做,不锈钢蚀刻面板加工,机械面板腐蚀定制,设备蚀刻面板加工,腐蚀机械面板定制,机箱设备面板定制、电子秤按键面板定做等,接单领域主要集中在广州、深圳 、佛山 、东莞、中山、珠海、江门、肇庆、惠州等地,均可加工定制生产。

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    工艺特点

    (1) 采用自配油墨,具有抗蚀性好、粘合力强、可自然干燥、转印性能好等优点;

    (2) 采用自制球型腐蚀喷头,腐蚀液能喷射成均匀半球面,适合复杂型腔腐蚀,加上型腔朝下,不会堆滞腐蚀液,能获得腐蚀深度均匀、无※角、图纹清晰、高质量的装饰纹;

    (3) 工艺方法简单,操作容易,适合大、中、小模具,不受几何形状限制;

    (4) 设备简单,蚀刻面板加工厂,材料消耗甚少,主要消耗贴花纸、转印油墨、保护漆,成本低廉,经济效益高。

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    蚀刻是制造薄膜晶体管液晶显示装置(ThinFirm Transistor Liquid Crystal Display,TFT_LCD)阵列基板过程中的一个重要制程。蚀刻工艺根据蚀刻剂的物理状态分为干蚀刻工艺和湿蚀刻工艺,干蚀刻工艺利用蚀刻气体进行蚀刻,湿蚀刻工艺利用蚀刻液体进行蚀刻。

    现有的干蚀刻装置通常包括:真空腔(未图示)、设于所述真空腔内的上电极板(未图示)、与上电极板相对间隔设置的下电极板1、位于所述下电极板I下方用于承载下电极板I的绝缘板2、设于所述下电极板I上的静电吸附平台3、位于上、下电极板I之间的等离子体(Plasma)真空放电区(未图示)、及与上、下电极板相连的电源(未图示),利用等离子体真空放电区内的高压电场互相作用所产生的等离子体来对设于静电吸附平台3上的晶元或玻璃基板4进行蚀刻。

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    干法刻蚀是用等离子体进行薄膜刻蚀的技术。当气体以等离子体形式存在时,它具备两个特点:一方面等离子体中的这些气体化学活性比常态下时要强很多,根据被刻蚀材料的不同,选择合适的气体,就可以更快地与材料进行反应,实现刻蚀去除的目的。现有技术中,高速率干法刻蚀所用等离子激发手段主要为ICCP(Impressed Current CathodicProtect 1n,外加电流阴极保护),若要想进一步提高刻蚀速率,一般来说可以通过提高等离子体激励源频率来获得更高的等离子体截止密度,达到提高刻蚀速率的目的。但提高激励源频率会导致电极表面驻波等问题,导致刻蚀速率不均匀,无法大面积均匀刻蚀。


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